|
B4C靶材 B4C target material标准描述： 公司采用工业纯度高的B4C（纯度99.5%）为原料，采用热压烧结工艺生产碳化硼靶材，在保证纯度的前提下，靶材经过机械加工，尺寸精度好，光洁度、平整度好，完全满足使用要求。 The company uses the highest industrial purity B4C (purity 99.5%) as raw material and uses hot pressing sintering process to produce boron carbide target material. On the premise of ensuring purity, the target material is machined to have good dimensional accuracy, smoothness, and flatness, fully meeting the requirements of use. 
收藏
B4C靶材-高纯碳化硼 产品详细描述： 公司采用工业纯度最高的B4C（纯度99.5%）为原料，采用热压烧结工艺生产碳化硼靶材，在保证纯度的前提下，靶材经过加工，尺寸精度好，光洁度、平整度好，完全满足使用要求。 碳化硼陶瓷维氏硬度很高，在3100HV左右，韧性差，加工难度大。公司经过多年的工艺研究，掌握了多项专门针对碳化硼陶瓷加工的技术，能高质量完成碳化硼特殊结构的加工。 在陶瓷生产方面，公司有无压烧结和热压烧结两种工艺，不同工艺的产品有不同的优势，适用于不同的场景。无压烧结陶瓷性价比高，适合大批量生产。适合用作防弹材料、密封件、喷嘴、耐磨耐温材料以及常用的核电材料。热压烧结生产的陶瓷适合小规模生产，可以制成较大的尺寸，适合用作核电核心材料、半导体材料、靶材、防弹材料等。 产品技术参数
产品优势 1. 纯度高 2. 指标可定制 3. 质量稳定 4. 性价比高 5. 生产计划灵活 产品应用 半导体 耐高温材料 耐磨材料 |
||||||||||||||||||||||